Объем выпуска флэш-памяти NAND существенно увеличится в 2019 году

По данным отраслевых источников, ведущие производители флэш-памяти, включая Samsung Electronics, Toshiba, Micron Technology и SK Hynix, расширяют соответствующие производственные мощности. В результате объем выпуска флэш-памяти NAND существенно увеличится уже в будущем году.

Компания Samsung рассказала о намерении инвестировать 7 млрд долларов в расширение производственных мощностей на своей фабрике флэш-памяти NAND в Китае еще в августе 2017 года. Эта сумма будет выделена в течение трех лет, но первая новая линия начнет выпуск продукции уже в 2019 году. Она будет выпускать фирменную флэш-память с объемной компоновкой V-NAND.

Компания Toshiba строит в Японии фабрику Fab 6, которая тоже должна начать выпуск продукции в 2019 году. Дальнейшее расширение будет обеспечено вводом в строй фабрики Fab 7. По прогнозу DRAMeXchange, это предприятие будет готово к серийному выпуску продукции во второй половине 2019 года. Основным видом продукции здесь будет 96-слойая память 3D NAND.

Компания Micron Technology расширяет существующую фабрику в Сингапуре. Опять-таки, ожидается, что новые мощности заработают к концу 2019 года.

Компания SK Hynix строит новую фабрику M15 в Южной Корее. Ожидается, что это предприятие начнет функционировать в 2019 году.

Наконец, китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) планирует начать выпуск флэш-памяти 3D NAND во второй половине 2018 года. Первое время это будут 32-слойные микросхемы, а позже — 64-слойные.

Комментировать

На ту же тему
Поделитесь своим мнением
Для оформления сообщений Вы можете использовать следующие тэги:
<a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>

Свежие записи
HI-TECH © 2018 ·   Войти   · Тема сайта и техподдержка от GoodwinPress Наверх